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상세정보
FUNDAMENTALS OF SILICON INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
QR코드| 자료유형 : | 단행본 |
|---|---|
| 분류기호 : | TK7874 |
| 서명/저자사항 : | FUNDAMENTALS OF SILICON INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY/ BURGER,R M; DONOVAN,R P |
| 발행사항 : | ENGLEWOOD CLIFFS: PRENTICE-HALL, 1967. |
| 형태사항 : | 495p. |
| 개인저자 : | BURGER,R M |
| 개인저자 : | DONOVAN,R P |
| 언어 | 영어 |
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WMO199905825
권 호 : 495
발행년 : 1967
서 명 : FUNDAMENTALS OF SILICON INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY
발행처 : BURGER,R M
목차
1. PROPERTIES OF SILICA GLASS
2. METHODS OF OXIDE FORMATION
3. OXIDE PROPERTIES
4. APPLICATION OF OXIDES IN SILICON INTEGRATED DEVICES
5. DIFFUSION THEORY
6. EXPERIMENTAL MEASUREMENTS OF DIFFUSION IN SINGLE-CRYSTAL SILICON
7. DIFFUSION TECHNIQUES
8. THEORY OF EPITAXY
9. GROWTH TECHNIQUES
10. EVALUATION TECHNIQUES AND RESOLTS
11. APPLICATION TO DEVICE STRUCTURES
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