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00685nam ac200217 k 4500
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20050323140000
050323s2004 ulk 000 kor
▼a 123456
▼c 123456
▼l EM22312
▼a 569.4
▼a 569.4
▼b 한442ㅈ
▼a 한국과학기술연구원
▼a 장파장 고출력 반도체 광원 개발:
▼b 고출력 반도체 광원 기술/
▼d 한국과학기술연구원;
▼e 한일기;
▼e 이정일;
▼e 김은규.
▼a 과천:
▼b 과학기술부,
▼c 2004.
▼a 218p.;
▼c 30cm.
▼a 고출력 레이저 다이오드
▼a 고휘도 광원
▼a 단일모드
▼a 테이퍼 레이저 다이오드
▼a 대면적 레이저 다이오드
▼a 양자우물
▼a 양자점
▼a 한일기
▼a 이정일
▼a 김은규
▼a 비매품
▼a 단행본
제1장 연구개발과제의 개요
제2장 국내외 기술개발 현황
제3장 연구 개발수행 내용 및 결과
1. 소자 제작기술 연구
2. 양자우물 단일모드형 테이퍼 레이저 다이오드
3. 양자우물 Superluminescent diodes
4. 양자점 고출력 레이저 다이오드
5. 양자점 Superluminescent diodes
6. 결론
제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도
제5장 연구개발결과의 활용계획
제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보
제7장 참고문헌
4G LTE/LTE-A 이동통신시스템
568.52 데569ㅍ
(증강현실과 가상현실의) 디스플레이 기초 = Introduction to augmented reality and virtual reality displays
569.81 박583ㄷ
전기전자공학의 기초
560 김728ㅈ
무선 및 이동통신
568 애743ㅁ김 2013
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