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Strained-SiGe Complementary MOSFETs Adopting Different Thicknesses of Silicon Cap Layers for Low Power and High Performance Applications
QR코드| 자료유형 : | 기사 |
|---|---|
| 기사명 : | Strained-SiGe Complementary MOSFETs Adopting Different Thicknesses of Silicon Cap Layers for Low Power and High Performance Applications |
| 저자 : | Bongki Mheen|Young-Joo Song |
| 발행사항 : | Electronics and Telecommunications Research Institute : Seoul , 2005 |
| 수록잡지명 : | ETRI Journal[1993-2010] : 2005. August Vol.27 No.4 |
| 페이지 : | 439 |
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