| 자료유형 : |
기사 |
| 기사명 : |
Effects of Channel Electron In-Plane Velocity on the Capacitance-Voltage Curve of MOS Devices |
| 저자 : |
Ling-Feng Mao |
| 발행사항 : |
Electronics and Telecommunications Research Institute :
Seoul
, 2010
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| 수록잡지명 : |
ETRI Journal[1993-2010] : 2010. February Vol.32 No.1 |
| 페이지 : |
68 |
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