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II-IV족 화합물 반도체 성장법 : 개량된 THM에 의한 HgCdTe 결정성장을 중심으로

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도서 상세정보
자료유형 :	단행본
ISBN :	8989103002(세트)
ISBN :	898910324X
분류기호 :	530.41
개인저자 :	박만강
서명/저자사항 :	II-IV족 화합물 반도체 성장법: 개량된 THM에 의한 HgCdTe 결정성장을 중심으로/ 박만강 지음.
발행사항 :	서울: 아카넷, 2001.
형태사항 :	275p.: 삽도; 24cm.
총서사항 :	대우학술총서; 491.
서지주기 :	참고문헌: p.257-275
언어	한국어

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목차
머리말 = 5
제1장 서론 = 13
1.1 반도체 재료의 일반적 성질 = 13
1.2 Ⅱ-Ⅵ족 반도체의 역사적 배경 = 20
제2장 결정구조 = 25
2.1 기본개념 = 25
2.2 결정격자 = 28
2.3 공간(Bravais) 격자 14개와 7결정계 = 31
2.4 대칭 요소 = 32
2.5 점군과 공간군 = 33
2.6 결정의 방향, 결정면과 Miller 지수 = 35
2.6.1 결정면과 Miller 지수 = 36
2.7 간단한 결정구조의 예 = 38
2.7.1 면심 및 체심입방 = 39
2.7.2 NaCl 구조 = 39
2.7.3 CsCl 구조 = 42
2.7.4 다이아몬드 구조 = 42
2.7.5 섬아연광 Zincblende Zns 구조 = 43
2.7.6 섬유아연석 Wurtzite 구조 = 45
2.8 연접결정과 다형체 결정 = 46
2.8.1 Ⅱ-Ⅵ족 화합물의 결정격자와 격자상수 = 48
2.9 고용체와 혼합결정 = 51
2.9.1 격자상수와 성분 사이의 관계 = 51
2.9.2 독립적 외형 = 55
제3장 에너지 띠 = 59
3.1 원자, 분자 및 고체의 에너지 스펙트럼 = 60
3.2 결정에 대한 Schr$$\ddot o$$dinger 방정식과 Bloch 함수 = 65
3.3 준자유전자 모형과 밀접결합 모형 = 73
3.4 회전과 거울대칭의 효과 = 86
3.5 Ⅱ-Ⅵ 화합물 반도체의 전형적 E-k분포도 = 88
3.6 전도전자 = 90
3.6.1 Ⅱ-Ⅵ족 화합물의 띠 구조 = 91
3.7 일정한 에너지 띠 면과 유효질량 = 96
3.8 Fermi 에너지와 고유 운반자 농도 = 102
3.8.1 Fermi 에너지 = 102
3.8.2 고유반도체의 운반자 농도 = 104
3.8.3 불순물 상태 = 105
제4장 MCT의 물리적 성질의 개요 = 109
4.1 전기전도도(σ)와 전기이동도 = 109
4.2 광학적 성질 = 116
4.2.1 띠 간의 전이 = 117
4.2.2 띠 내의 전이 = 122
4.2.3 불순물에 의한 흡수 = 124
4.2.4 광전도도 = 125
4.2.5 Hg_{1-x}$$$$Cd_x$$Te광학적 성질 = 127
4.3 불순물과 그 효과 = 129
4.4 운반자 수명 = 131
4.4.1 수명의 정의 = 132
제5장 Ⅱ-Ⅵ족 화합물의 열역학적 고찰 = 143
5.1 Ⅱ-Ⅵ계의 열역학 = 145
5.1.1 원소의 성질들 = 145
5.1.2 증기와 고체의 평형 = 146
5.1.3 고체-액체-증기 삼상의 평형 = 150
5.2 수은 칼고겐 화합물의 특성 = 155
5.3 수은-칼고린 화합물의 상평형도 = 158
5.4 상평형도에 의한 결정성장의 한계 = 161
제6장 Ⅱ-Ⅵ족 화합물의 결정성장 = 165
6.1 증기상을 이용한 성장 방법 = 167
6.1.1 수평형 반응기 = 170
6.1.2 수직 반응기 = 171
6.1.3 납작형 반응기 = 172
6.1.4 바구니형 반응기 = 172
6.1.5 정적 증기상의 성장법 = 173
6.1.6 등온 증착에 의한 박막층 성장법 = 175
6.1.7 증기상태로의 기타 성장법 = 183
6.2 액체상으로부터 성장 방법 = 186
6.2.1 수직형 Bridgman 방식 = 189
6.2.2 수평형 Bridgman 방식 = 193
6.2.3 Czochralski 성장 방식 = 194
6.2.4 수용액 방식 = 195
6.2.5 LPE 방식 = 196
6.2.6 THM 방식 = 198
6.3 융용 내에서 대류 = 199
제7장 THM 법에 의한 HgCdTe 덩어리 단결정성장 = 203
7.1 MCT 덩어리 단결정의 결정성장 이론 = 206
7.1.1 THM = 206
7.1.2 용매대의 조성 = 208
7.1.3 공급물질의 가공 = 212
7.1.4 씨결정 = 213
7.1.5 속임물질 = 214
7.1.6 성장온도 = 215
7.1.7 성장속도 = 215
7.2 결정성장 실험 = 217
7.2.1 석영관의 처리 = 217
7.2.2 원료물질의 처리 = 218
7.2.3 CdTe, HgTe 덩어리의 제작 = 218
7.2.4 THM에 의한 HgTe, CdTe 덩어리의 정제 = 221
7.2.5 HgTe, CdTe 덩어리의 가공 = 223
7.2.6 용매대의 제작 = 224
7.2.7 씨결정의 가공 = 224
7.2.8 앰플 가공 및 결정성장 = 225
7.3 결정성 분석과 불순물을 정제하기 위한 열처리 = 227
7.3.1 부식공 관찰 = 229
7.3.2 DCRC 측정 = 231
7.3.3 열처리 = 232
7.3.4 결정의 조성 = 235
7.3.5 불순물 검사 = 237
7.3.6 물리적 특성 = 238
제8장 앰플 내의 대류와 온도 분포 = 241
8.1 고상과 액상 사이의 결정성장 경계면의 모양 = 242
8.2 히터의 위치에 따른 온도 변화 = 243
8.3 THM의 열적 모델의 설정 = 244
8.4 유한차분방법 = 246
8.5 Gauss-Seidel 궤한 = 248
8.5.1 시료가 무한히 긴 경우 = 249
8.5.2 시료가 유한한 경우 = 251
참고문헌 = 257