KMO200602527 권 호 :
발행년 : 2006
발행처 : 淸文閣

서 명 : 반도체 소자 공정기술

목차
목차
1장 반도체 산업의 전망(Introduction to the Semiconductor Industry) = 1
서론(Introduction) = 2
산업의 발전(Development of an Industry) = 3
산업의 근본(Industry Roots) = 3
고체 상태(The Solid State) = 4
회로 집적(Circuit Integration) = 5
집적 분야(Integration Eras) = 6
IC 제조(IC Fabrication) = 7
웨이퍼 제조 설비(Wafer Fab) = 8
IC제조의 단계(Stage of IC Fabrication) = 8
반도체 경향(Semiconductor Trends) = 11
칩의 성능 증가(Increase in Chip Performance) = 11
칩의 신뢰도 증가(Increase in Chip Reliability) = 14
칩 가격의 감소(Reduction in Chip Price) = 15
전자공학의 기원(The Electronic Era) = 16
1950년대 : 트랜지스터 기술(The 1950s : Transistor Technology) = 16
1960년대 : 공정기술(The 1960s : Process Technology) = 17
1970년대 : 경쟁(The 1970s : Competition) = 17
1980년대 : 자동화(The 1980s : Automation) = 18
1990년대 : 대량생산(The 1990s : Volume Production) = 19
반도체 생산 경력(Carriers in Semiconductor Manufacturing) = 20
기술자(Technician) = 20
직업의 종류(Job Descriptions) = 22
요약(Summary) = 23
2장 반도체 물질의 특성(Characteristics of Semiconductor Materials) = 27
서론(Introduction) = 28
원자 구조(Atomic Structure) = 28
전자 미세구조(Electrons) = 29
주기율표(The Periodic Table) = 31
이온결합(Ionic Bond) = 34
공유결합(Covalent bonds) = 35
물질의 분류(Classifying Materials) = 36
도체(conductor) = 36
절연체(Insulator) = 38
반도체(semiconductor) = 41
실리콘(Silicon) = 42
순수한 실리콘(Pure Silicon) = 42
왜 실리콘인가?(Wny Silicon?) = 43
실리콘 불순물 첨가(Doped Silicon) = 44
pn 접합(pn Junctions) = 48
대체 반도체 물질(Alternative Semiconductor Materials) = 49
Gallium Arsenide(GaAs) = 50
요약(Summary) = 51
3장 소자기술(Device Technologies) = 55
서론(Introduction) = 56
회로의 종류(Circuit Types) = 56
아날로그 회로(Analog Circuit) = 56
디지털 회로(Digital Circuits) = 57
수동소자의 구조(Passive Component Structures) = 57
IC 저항구조(IC Resistor structures) = 57
IC 커패시터 구조(IC Capacitor Structures) = 58
능동소자의 구조(Active Component Structures) = 60
pn 접합형 다이오드(The pn Junction Diode) = 60
쌍극성 접합형 트랜지스터(The Bipolar Junction Transistor) = 62
쇼트키 다이오드(Schottky diode) = 65
쌍극성 IC 기술(Bipolar IC Technology) = 65
CMOS IC 기술(CMOS IC Technology) = 66
증가형 모드 MOSFET와 공핍형 모드 MOSFET(Enhancement and Depletion-Mode MOSFETs) = 73
CMOS 소자의 LATCHUP(Latchup In CMOS Devices) = 74
집적회로제품(Integrated Circuit Products) = 75
선형 IC제품 형태(Linear IC Product Types) = 75
디지털 IC 제품 형태(Digital IC Product Types) = 76
요약(summary) = 78
4장 실리콘과 웨이퍼 제조(Silicon and Wafer Preparation) = 85
서론(Introduction) = 86
반도체급 실리콘(Semiconductor-Grade Silicon) = 86
결정구조(Crystal Structure) = 87
비정질 물질(Amorphous Materials) = 87
단위 셀(Unit Cells) = 88
다결정구조와 단결정구조(Polycrystal and Monocrystal Structures) = 89
결정의 방향(Crystal Orientation) = 90
단결정 실리콘 성장(Monocrystal Silicon Growth) = 91
CZ 방법(CZ Method) = 91
플롯-존 방식(Float-Zone Method) = 95
큰 직경을 갖는 잉곳을 이용하는 이유(Reasons For larger Ingot Diameters) = 96
실리콘에서의 결정결함(Crystal Defects in Silicon) = 98
점결함(Point Defects) = 99
전위(Dislocations) = 100
총체적 결함(Gross Defects) = 101
웨이퍼 준비(Wafer Preparation) = 101
성형 공정(Shaping Operations) = 102
웨이퍼 절단(Wafer Slicing) = 103
웨이퍼 연마와 모서리 형태(Wafer Lapping and Edge Contour) = 104
식각공정(Etching) = 105
표면 연마(Polishing) = 105
세정(Cleaning) = 106
웨이퍼 평가(Wafer Evaluation) = 106
패키징(Packaging) = 106
품질측정(Quality Measures) = 107
물리적 크기(Physical Dimensions) = 108
편평도(Flatness) = 108
표면 거칠기(Microroughness) = 109
산소 함유량(Oxygen Content) = 109
결정결함(Crystal Defects) = 109
입자들(Particles) = 109
벌크 저항률(Bulk Resistivity) = 110
에피택셜층(Epitaxial Layer) = 110
요약(Summary) = 111
5장 반도체 제조공정에서의 화학물질(Chemicals in Semiconductor Fabrication) = 115
서론(Introduction) = 116
물질의 상태(States of Matter) = 116
물질의 특성(Properties of Materials) = 117
반도체 공정에서의 화학적인 성질(Chemical Properties for Semiconductor Manufacturing) = 117
공정 화학물질(Process Chemicals) = 125
액체(Liquids) = 126
화학 기체들(Gases) = 130
요약(Summary) = 136
6장 웨이퍼 제조공정 설비에서의 오염 제어(Contamination Control in Wafer FABs) = 141
서론(Introduction) = 142
무균실의 배경(Cleanroom Background) = 142
오염의 종류(Types of Contamination) = 143
미립자들(Particles) = 143
금속성 불순물(Metallic Impurities) = 145
유기 오염물질(Organic Contamination) = 147
자연 산화막(Native Oxides) = 147
정전기 방전(Electrostatic Discharge) = 148
오염 통제와 그 원인(Sources and Control of Contamination) = 149
공기(Air) = 149
작업자들(Humans) = 150
설비(Facility) = 152
물(Water) = 157
화학물질 처리(Process Chemicals) = 161
생산 설비(Production Equipment) = 162
워크스테이션 설계(Workstation Design) = 163
웨이퍼 습식 세정(Wafer Wet Cleaning) = 167
습식 세정 개요(Wet-Cleaning Overview) = 167
습식 세정 장비(Wet-Clean Equipment) = 171
또 다른 RCA 세정(Alternatives to RCA Clean) = 176
요약(Summary) = 177
7장 도량형학과 결함 검사(Metrology and Defect Inspection) = 183
서론(Introduction) = 184
IC 도량형(IC METROLOGY) = 184
측정 장비(Measurement Equipment) = 185
수율(Yield) = 186
데이터 관리(Data Management) = 186
품질측정(QUALITY MEASURES) = 187
막 두께(Film Thickness) = 188
막 응력(Film Stress) = 194
굴절률(Refractive Index) = 195
도핑 농도(Dopant Concentration) = 195
규격화 되지 않은 표면결함(Unpatterned Surface Defects) = 197
패턴을 갖는 표면 결함(Patterned Surface Defects) = 202
임계치수(CD:Critical Dimension) = 202
단차 피복(Step Coverage) = 205
오버레이 등록(Overlay Registration) = 206
전압-정전용량(C-V) 시험(Capacitance-Voltage(C-V) Test) = 207
접촉각(Contact Angle) = 210
분석 장비(Analytical Equipment) = 210
2차 이온질량 분광광도측정(SIMS) = 211
원자력 현미경(AFM) = 213
오거 전자 분광학(AES) = 214
X-ray 광전자 분광학(XPS) = 214
투과 전자 현미경(TEM) = 215
에너지와 파장이 분산하는 분광계(EDX와 WDX) = 216
집중된 이온 빔(FIB) = 217
요약(Summary) = 218
8장 공정실의 가스제어(Gas Control in Process Chamber) = 223
서론(Introduction) = 224
진공(Vacuum) = 225
진공의 범위(Vacuum Ranges) = 226
평균 자유경로(Mean Free Path) = 227
진공펌프(Vacuum Pumps) = 227
러핑 펌프(Roughing Pump) = 228
고진공 펌프(High Vacuum pump) = 229
통합된 장비 안의 진공(Vacuum in Integrated Tools) = 232
공정실의 가스흐름(Process Chamber Gas Flow) = 232
MFC(Mass Flow Controllers) = 233
잔류가스 분석기(Residual Gas Analyzer) = 233
RGA의 원리(RGA Basics) = 234
RGA 실시간 감시기(RGA as Real-Time Monitor) = 235
플라스마(plasma) = 236
글로우 방전(Glow Discharge) = 237
공정실 오염(Process Chamber Contamination) = 239
요약(Summary) = 240
9장 IC 제조공정의 개관(IC Fabrication Process Overview) = 243
서론(Introduction) = 244
CMOS 공정의 흐름도(CMOS Process Flow) = 244
웨이퍼 제조설비에서의 개략적인 영역 구분(Overview of Areas in a Wafer Fab) = 245
CMOS 제조공정(CMOS Manufacturing Steps) = 251
이중 우물 공정(Twin Well Process) = 251
좁은 트렌치 격리 구조 공정(Shallow Trench Isolation Process) = 254
폴리게이트 구조 공정(Poly Gate Structural Process) = 257
약하게 도핑된 드레인(LDD) 주입 공정[Lightly Doped Drain (LDD) Implants Process] = 258
측벽 공간 구성(Sidewall Spacer Formation) = 260
소스／드레인(S／D) 주입 공정[Source／Drain(S／D) Implant Processes] = 260
접촉부 형성(Contact Formation) = 262
국부적 상호접속 공정[Local Interconnect(LI) Process] = 262
비아-1과 플러그-1 형성(Via-1 and plug-1 Formation) = 264
금속-1 상호연결구성(Metal-1 Interconnect Formation) = 265
비아-2와 플러그-1 구성(Via-2 and plug-1 Formation) = 266
금속-2 상호연결 구성(Metal-2 Interconnect Formation) = 268
금속-3 패드식각과 합금(Metal-3 to Pad Etch and Alloy) = 269
파라미터 검사(Parametric Testing) = 270
요약(Summary) = 271
10장 산화공정(Oxidation) = 275
서론(Introduction) = 276
산화막(Oxide Film) = 277
산화막의 특성(Nature of Oxide Film) = 277
산화막의 사용(Uses of Oxide Film) = 277
열적 산화막 성장(Thermal Oxidation Growth) = 282
산화공정에서의 화학적 반응(Chemical Reaction for Oxidation) = 282
산화막 성장 모델(Oxidation Growth Model) = 284
반응 로 장비(Furnace Equipment) = 292
수평 반응 로와 수직 반응 로(Horizontal Versus Vertical Furnaces) = 293
수직 반응 로(Vertical Furnace) = 294
고속 수직 반응 로(Fast Ramp Vertical Furnace) = 299
급속 열처리기(Rapid Thermal Processor) = 300
산화 공정(Oxidation Process) = 304
산화 전 세척(Pre Oxidation Cleaning) = 304
산화 공정 프로그램(Oxidation Process Recipe) = 305
품질 측정(Quality Measurement) = 306
산화 공정 고장진단(Oxidation Troubleshooting) = 308
요약(Summary) = 308
11장 증착법(Deposition) = 315
서론(Introduction) = 315
박막충 전문용어(Film Layering Terminology) = 317
박막 증착법(Film Deposition) = 319
박막의 특성(Thin-Film Characteristics) = 319
막 성장(Film Growth) = 322
박막 증착 기술들(Film Deposition Techniques) = 323
화학기상 증착법(Chemical Vapor Deposition) = 324
CVD 화학 공정(CVD Chemical Processes) = 325
CVD 반응(CVD Reaction) = 325
CVD 증착 시스템(CVD Deposition Systems) = 330
CVD 장비 설계(CVD Equipment Design) = 330
대기압 CVD(APCVD:Atmospheric Pressure CVD) = 332
저압 CVD(LPCVD:Low Pressure CVD) = 335
플라스마 보조형 CVD(Plasma-Assisted CVD) = 339
유전체와 성능(Dielectric and Performance) = 346
유전 상수(Dielectric Constant) = 347
소자 절연(Device Isolation) = 351
SOD(Spin-on-Dielectrics) = 352
SOG(Spin-On-Glass) = 352
SOD(Spin-On-Dielectric) = 353
에피택시(Epitaxy) = 354
에피택시 성장모델(Epitaxy Growth Methods) = 355
CVD 특성 측정(CVD Quality Measures) = 358
CVD 고장진단(DVD Troubleshooting) = 359
요약(Summary) = 360
12장 금속화 공정(Metallization) = 365
서론(Introduction) = 365
금속들의 유형(Type of Metals) = 368
알루미늄(Aluminum) = 369
알루미늄-구리 합금(Aluminum-Copper Alloys) = 372
구리(Copper) = 373
장벽 금속(Barrier Metals) = 375
실리사이드(Silicides) = 378
금속 플러그(Metal Plugs) = 382
금속 증착 시스템(Metal Deposition Systems) = 383
증발법(Evaporation) = 383
스퍼터링(Sputtering) = 384
금속 CVD(Metal CVD) = 393
구리 전기도금(Copper Electroplate) = 396
금속화 계획들(Metallization Schemes) = 398
일반적인 알루미늄 구조(Traditional Aluminum Structure) = 398
구리 상감 구조(Copper Damascene Structure) = 399
금속화 품질 측정(Metallization Quality Measures) = 401
금속화 공정 고장진단(Metallization Troubleshooting) = 403
요약(Summary) = 404
13장 포토리소그래피 : 부드러운 굽기를 위한 증기 프라임(Photolithography : Vapor Prime to Soft Bake) = 409
서론(Introduction) = 410
포토리소그래피의 개념(Photolithography Concepts) = 410
포토리소그래피 공정(Photolithography Processes) = 414
negative 리소그래피(Negative Lithography) = 415
positive 리소그래피(Positive Lithography) = 415
포토리소그래피의 8가지 기본 단계(Eight Basic Steps of Photolithography) = 417
1단계 : 웨이퍼 준비(WAFER Prime) = 419
2단계 : 회전 도포기(Spin Coat) = 419
3단계 : 약하게 굽기(Soft Bake) = 420
4단계 : 정렬과 노출(Alignment and Exposure) = 420
5단계 : 노출 후 굽기(PEB) = 420
6단계 : 현상(Develop) = 420
7단계 : 강하게 굽기(Hard Bake) = 421
8단계 : 현상 검사(Develop inspect) = 421
웨이퍼 준비(Wafer Prime) = 422
웨이퍼 세정(Wafer Cleaning) = 422
탈수 건조 후 굽기(Dehydration Bake) = 423
웨이퍼 프라이밍(Wafar Priming) = 423
스핀 코팅(Spin Coat) = 425
포토레지스트(Photoresist) = 425
포토레지스트의 물리적인 특성들(Photoresist Physical Properties) = 427
기존의 I-line 포토레지스트(Conventional I-Line Photoresists) = 429
깊은 UV 포토레지스트[Deep UV(DUV) Photoresists]= 433
포토레지스트 분배법(Photoresist Dispensing Methods) = 436
약하게 굽기(Soft Bake) = 441
가볍게 굽기용 장비(Soft Bake Equipment) = 441
공정의 특징(Process Characterization) = 442
포토레지스트 품질 측정(Photoresist Quality Measures) = 443
포토레지스트 고장진단(Photoresist Trouble-shooting) = 444
요약(Summary) = 445
14장 포토리소그래피 정렬과 노출(Photolithography Alignment and Exposure) = 449
서론(Introduction) = 450
정렬과 노출의 중요성(Importance of Alignment and Exposure) = 451
광학 리소그래피(Optical Lithography) = 453
빛(Light) = 453
노출 소스(Exposure Sources) = 455
광학(Optics) = 460
분해능(Resolution) = 471
포토리소그래피 장비(Photolithography Equioment) = 475
접촉 정렬기(Contact Aligner) = 475
근사화 정렬기(Proximity Aligner) = 476
스캐닝 투영 정렬기(Scanning Projection aligner) = 477
스텝-앤드-리피트 정렬(스태퍼)[Step-and-Repeat Aligner(Stepper)] = 478
스텝-스캔 시스템(Step-and-Scan System) = 480
레티클(Reticle) = 481
광학 증강 기술(Optical Enhancement Techniques) = 486
정렬(Alignment) = 489
환경 상태(Environmental Conditions) = 493
포토기구들의 비교(Comparison of Photo Tools) = 494
혼합과 정합(Mix and Match) = 496
정렬과 노출 품질 측정(Alignment and Exposure Quality Measure) = 498
정렬과 노출 고장진단(Alignment and Exposure Troubleshooting) = 499
요약(Summary) = 500
15장 포토리소그래피 : 포토레지스트 현상과 개선된 리소그래피(Photolithpgraphy : Photoresist
Development and advanced lithograph) = 505
서론(Introduction) = 506
개선된 리소그래피(Advanced Lithography) = 507
노출 후 굽기(Post-Exposure Bake) = 507
노출 후 DUV 굽기(DUV Post-Exposure Bake) = 507
기존의 I-Line PEB(Conventional I-Line PEB) = 508
현상(Develop) = 509
negative 레지스트(Negative Resist) = 510
positive 레지스트(Positive Resist) = 511
현상법(Development Methods) = 513
레지스트 현상 파라미터들(Resist Development Parameters) = 515
강하게 굽기(Hard Bake) = 517
현상 검사(Develop Inspect) = 518
개선된 리소그래피(Advanced Lithography) = 519
차세대 리소그래피(Next-Generation Lithography) = 520
개선된 레지스트 공정(Advanced Resist Processing) = 524
현상 품질 측정(Develop Quality Measures) = 526
현상 고장 진단(Develop Troubleshooting) = 527
요약(Summary) = 528
16장 식각(Etch) = 531
서론(Introduction) = 532
식각 공정(Etch Processes) = 532
식각 파라미터(Etch Parameters) = 533
식각률(Etch Rate) = 534
식각 프로파일(Etch profile) = 535
식각 바이어스(Etch bias) = 537
선택도(Selectivity) = 538
균일성(Uniformity) = 538
잔류물질(Residues) = 539
폴리머 구성(Polymer formation) = 540
플라스마 유도 손상(Plasma-Induced damage) = 540
입자 오염(Particle Contamination) = 541
건식 식각(Dry Etch) = 541
식각 동작(Etching Action) = 542
전위 분배(Potential Distribution) = 543
플라스마 식각 반응 장치(Plasma Etch Reactors) = 545
원통형 플라스마 식각기(Barrel plasma Etcher) = 545
평행평판형 반응기(Parallel Plate (Planar) Reactor) = 546
다운스트림 식각 시스템(Downstream Etch Systems) = 547
3극 평면 반응기(Triode Planar Reactor) = 548
이온 빔 밀링(Ion Beam Milling) = 548
반응성 이온 식각(Reactive Ion Etch) = 549
고밀도 플라스마 식각기(High-Density plasma Etchers) = 550
식각 시스템의 개관(Etch System Review) = 554
종료점 검출(Endpoint Detection) = 555
식각 반응실의 진공(Vacuum for etch Chambers) = 557
건식 식각 응용(Dry Etch Applications) = 557
유전체 건식 식각(Dielectric Dry Etch) = 558
실리콘 건식 식각(Silicon Dry Etch) = 562
금속 건식 식각(Metal Dry Etch) = 565
습식 식각(Wet Etch) = 568
습식 식각의 유형(Types of Wet Etch) = 569
역사적인 관점(Historical Perspective) = 570
포토레지스트의 제거(Photoresist Removal) = 571
플라스마 Ashing(Plasma Ashing) = 572
식각 검사(Etch Inspection) = 574
식각 검사의 품질 측정(Etch Inspection Quality Measures) = 575
건식 식각의 문제점 해결(Dry Etch Troubleshooting) = 576
요약(Summary) = 577
17장 이온주입(Ion Implant) = 583
서론(Introduction) = 583
도핑 영역(Doped Region) = 585
확산(Diffusion) = 587
확산의 원리(Diffusion Principles) = 587
확산 공정(Diffusion Process) = 590
이온주입(Ion Implantation) = 592
개관(overview) = 592
이온주입 파라미터(Ion Implant Parameters) = 594
이온주입기(Ion Implanters) = 598
이온 공급원(Ion Source) = 599
추출과 이온 분석기(Extraction and Ion Analyzer) = 601
가속 기둥(Acceleration Column) = 604
스캐닝 시스템(Scanning System) = 606
공정 반응실(Process Chamber) = 611
어닐링(Annealing) = 613
채널링(channeling) = 614
입자들(Particles) = 616
직접화 공정에서 이온주입의 경향(Ion Implant Trends in Process Integration) = 617
깊은 매몰 층(Deep Buried Layers) = 617
퇴보된 우물들(Retrograde Wells) = 618
펀치스루우 스토퍼(Punchthrough Stopper) = 618
문턱전압 조절(Threshold Voltage Adjustment) = 619
가볍게 도핑된 드레인(Lightly Doped Drain) = 619
소스／드레인 주입(Source／Drain Implants) = 620
폴리실리콘 게이트(Polysilicon Gate) = 620
트렌치 커패시터(Trench Capacitor) = 621
아주 얕은 접합(Ultrashallow Junctions) = 621
실리콘 절연체(Silicon-On-Insulator) = 622
이온주입기 품질 측정(ION Implant Quality Measures) = 624
이온주입의 고장진단(Ion Implantation Troubleshooting) = 625
요약(Summary) = 626
18장 CMP(Chemical Mechanical Planarization) = 631
서론(Introduction) = 632
전통적인 평탄화(Traditional Planarization) = 635
에치백(Etchback) = 635
유리 환류(Glass Reflow) = 636
스핀-온 필름(Spin-On Films) = 637
CMP(Chemical Mechanical Planarization) = 638
CMP 평탄도(CMP Planarity) = 638
CMP의 이점(Advantages of CMP) = 640
CMP 메커니즘(CMP Mechanism) = 641
CMP 슬러리와 패드(CMP Slurry and Pad) = 644
CMP 장비(CMP Equipment) = 649
CMP 세정(CMP Clean) = 653
CMP 장비 제조사(CMP Equipment Manufacturers) = 655
CMP 응용(CMP Applications) = 656
STI 산화물 연말공정(STI Oxide Polish) = 656
LI 산화물 연마(LI Oxide Polish) = 657
LI 텅스텐 연마(LI Tungsten Polish) = 657
ILD 산화물 연마(ILD Oxide Polish) = 658
텅스텐 플러그 연마(Tungsten Plug Polish) = 659
이중 다마신 구리 연마(Dual-Damascene Copper Polish) = 659
CMP 품질 측정(CMP Quality Measures) = 660
CMP 고장진단(CMP Troubleshooting) = 662
요약(Summary) = 663
19장 웨이퍼 검사(Wafer Test) = 667
서론(Introduction) = 668
집적회로의 전기적인 검사(IC Electrical Tests) = 668
웨이퍼 검사(Wafer Test) = 670
인라인 파라미터 검사(In-Line Parametric Test) = 670
웨이퍼 분류(Wafer Sort) = 680
수율(Yield) = 688
웨이퍼 분류 수율 모델(Wafer Sort Yield Models) = 691
품질검사 진단(Test Quality Measures) = 693
고장진단(Test Troubleshooting) = 695
요약(Summary) = 696
20장 조립과 포장(Assembly and Packaging) = 701
서론(Introduction) = 702
패키징 레벨(Packaging Levels) = 704
전통적인 조립(Traditional Assembly) = 705
후면 연마(Backgrind) = 705
다이 분리(Die Separation) = 706
다이 부착(Die Attach) = 707
선 접속(Wire-bonding) = 709
전통적 패키징(Traditional Packaging) = 713
플라스틱 패키징(Plastic Packaging) = 713
세라믹 패키징(Ceramic Packaging) = 717
최종 검사(Final test) = 719
개선된 조립과 패키징(Advanced Assembly and Packaging) = 720
플립 칩(Flip Chip) = 720
볼 격자 배열(Ball Grid Array) = 723
기판 위의 칩(COB) = 724
테이프 자동 접속(TAB) = 725
다중 칩 모듈(MCM) = 725
칩 스케일링 패키징(CSP) = 726
웨이퍼 레벨 패키징(Wafer-Level Packaging) = 728
조립과 패키징의 특성 측정(Assembly and Packaging Quality Measures) = 731
IC 패키지의 고장 진단(IC Packaging Troubleshooting) = 732
요약(Summary) = 733
부록 A. 화학물질과 안전(Chemicals and Safety) = 737
화학물질의 라벨들(Chemical Labels) = 738
건강상의 위험 분류법(Health Hazard Classifications) = 738
노출한계(Exposure Limits) = 739
물질안전 데이터 시트(MSDS) = 740
MSDS 기술(MSDS Terminology) = 740
습식 화학물질의 안전성(Wet Chemical Safety) = 741
부식성 물질들(Corrosive Materials) = 742
용제(Solvents) = 743
플로오르화 수소산(HF) = 743
황산(H₂SO₄) = 743
화학적 위험(Chemical Hazards) = 743
가스검출과 감시(Gas Detection and Monitoring) = 744
광원의 안전지침(Photo Light Source Safety) = 746
이온주입 안전지침(Ion Implantation Safety) = 746
화학적 재활용(Chemical Recycling) = 747
부록 B. 청정실에서의 오염의 통제(Contamination Controls in Clean Rooms) = 749
인간의 오염(Human Contamination) = 750
청정실 표준안의 발전(Development of Cleanroom Standards) = 750
청정실 항목의 미터법 정의(Metric Definition of Cleanroom Classes) = 751
청정실 장갑(Cleanroom Gloves) = 751
DI 물에 대한 명세(Specifications for DI Water) = 752
정전기의 방전(Electrostatic Discharge) = 752
부록 C. 단위(Units) = 754
SI 단위 접두어(SI Unit Prefixes) = 755
단위변환법(Unit Conversations) = 755
부록 D. 산화 농도의 기능에 따른 색(Color As Function of Oxide Thickness) = 757
부록 E. 포토 레지스트 화학의 개관(Overview of Photoresist Chemistry) = 758
유기물질(Organic Materials) = 758
DNQ 레지스트(DNQ Resist) = 760
화학적으로 증폭된 레지스트(Chemically Amplified Resist) = 761
부록 F. 식각 화학(Etch Chemistry) = 763
플라즈마 식각가스 동향 = 763
습식 식각(Wet Etch) = 764
실리콘(Silicon) = 764
알루미늄(Aluminum) = 764
Glossary = 765
Index = 789