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• LDR

  01013nam a2200229 k 4500

• 001

  000000349702

• 005

  20120927215903

• 008

  980911s1997 tjka 000 kor

• 049

  ▼a  KMAL
  ▼l  AZ0000188614

• 082

  ▼a  621.38152
  ▼2  19

• 090

  ▼a  621.38152
  ▼b  엠49ㅇ

• 245

  ▼a  MBE에 의한 화합물 반도체의 특성 향상에 관한 연구=
  ▼x  Study on the improvement properties of Ⅱ-Ⅵ compound semiconductor by MBE.
  ▼n  2단계 완료보고서/
  ▼d  연구기관: 한국과학기술원 전자광학특화연구센터;
  ▼e  [책임연구]:김충기;
  ▼e  [국방과학연구소 편].

• 260

  ▼a  [대전]:
  ▼b  국방과학연구소,
  ▼c  1997.

• 300

  ▼a  214p.:
  ▼b  삽도;
  ▼c  30cm.

• 440

  ▼a  TEMD;
  ▼v  417-971495.

• 504

  ▼a  참고문헌 : p.169-170

• 653

  ▼a  MBE에
  ▼a  의한
  ▼a  화합물
  ▼a  반도체
  ▼a  특성
  ▼a  향상에
  ▼a  관한
  ▼a  연구
  ▼a  STUDY
  ▼a  ON
  ▼a  THE
  ▼a  IMPROVEMENT
  ▼a  PROPERTIES
  ▼a  OF
  ▼a  COMPOUND
  ▼a  SEMICONDUCTOR
  ▼a  BY
  ▼a  MBE
  ▼a  TEMD
  ▼a  엠비이에

• 700

  ▼a  김충기

• 710

  ▼a  한국과학기술원.
  ▼b  전자광학특화연구센터,
  ▼e  연구.

• 710

  ▼a  국방과학연구소,
  ▼e  편.

• 940

  ▼a  엠비이에 의한 화합물 반도체의 특성 향상에 관한 연구

• 950

  ▼a  가격불명

• 991

  ▼a  단행본

• 090

  ▼a  621.38152
  ▼b  엠49ㅇ